A single-ended low leakage and low voltage 10T SRAM cell with high yield

نویسندگان- N. Eslami- B. Ebrahimi-E. Shakouri-D. Najafi
نشریهAnalog Integrated Circuits and Signal Processing
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2020-8-8
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایالات متحدهٔ امریکا

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله