A low-leakage and high-writable SRAM cell with back-gate biasing in FinFET technology

نویسندگانS. Sayyah- M. H. Moaiyeri- B. Ebrahimi- S. Hesabi- A. Afzali-Kusha
نشریهJournal of Computational Electronics
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2019-3-28
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایالات متحدهٔ امریکا

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله