Read static noise margin aging model considering SBD and BTI effects for FinFET SRAMs

نویسندگانK. Mehrabi-B. Ebrahimi-R. Yarmand-A. Afzali-Kusha-H. Mahmoodi
نشریهElsevier Microelectronics Reliability
شماره صفحات۲۰-۲۶
شماره مجلد۶۵
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار۲۰۱۶
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپهلند

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله