A Near-Threshold ۷T SRAM Cell with High Write and Read Margins and Low Write Time for Sub-۲۰ nm FinFET Technologies

نویسندگانM. Ansari-H. Afzali-Kusha-B. Ebrahimi-Z. Navabi-A. Afzali-Kusha-M. Pedram
نشریهElsevier Integration, the VLSI Journal
شماره صفحات۹۱-۱۰۶
شماره مجلد۵۰
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار۲۰۱۵
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپهلند

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله