A FinFET SRAM cell design with BTI robustness at high supply voltages and high yield at low supply voltages

نویسندگانB. Ebrahimi-R. Asadpour-A. Afzali-Kusha-M. Pedram
نشریهWiley International Journal of Circuit Theory and Applications
شماره صفحات2011-2024
شماره سریال12
شماره مجلد43
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2015
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایالات متحدهٔ امریکا

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله