&Robust FinFET SRAM design based on dynamic back-gate voltage adjustment

نویسندگانB. Ebrahimi-A. Afzali-Kusha-H. Mahmoodi
نشریهElsevier Microelectronics Reliability
شماره صفحات۲۶۰۴-۲۶۱۲
شماره سریال۱۱
شماره مجلد۵۴
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار۲۰۱۴
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپهلند

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله