A RESURF LDMOSFET with dummy gate on partial SOI

نویسندگانB. Ebrahimi-B. Afzal-A. Afzali-Kusha-S. Mohammadi
نشریهSpringer Journal of the Korean Physical Society
شماره صفحات842-848
شماره سریال5
شماره مجلد60
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2012
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپکرهٔ جنوبی

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله