A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement

نویسندگانM. Saremi-B. Ebrahimi-A. Afzali-Kusha-S. Mohammadi
نشریهElsevier Microelectronics Reliability
شماره صفحات2069-2076
شماره سریال12
شماره مجلد51
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2011
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپهلند

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله