Statistical design optimization of FinFET SRAM using back-gate voltage

نویسندگانB. Ebrahimi-M. Rostami-A. Afzali-Kusha-M. Pedram
نشریهIEEE Trans. on VLSI Systems
شماره صفحات1911-1916
شماره سریال10
شماره مجلد19
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2011
رتبه نشریهISI
نوع نشریهچاپی
کشور محل چاپایالات متحدهٔ امریکا

چکیده مقاله

لینک ثابت مقاله